Диоды 1N5819 кремниевые, с барьером Шоттки. 

Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1 А. 

Наименование диода - 1N5819
V_{RRM - 40 В}

IF_{(AV) - 1,0 А}

I_{FSM - 25 А}

I_{R(AV) - 0,5 мА}

V_{F - 0,6 В}

I_{R - 0,5 мА}

C_{J - 110 пФ}

T_{stg - -65…+125 °C}

Корпус - SOD-123